Toshiba Memory разрабатывает 96-слойную систему BiCS FLASH для SSD контроллеров

Возврат к списку

Toshiba Memory разрабатывает 96-слойную систему BiCS FLASH для SSD контроллеров

25.07.2018     

Корпорация Toshiba Memory, один из лидеров в области решений для хранения данных, 20 июля объявила о разработке прототипа образца 96-слойной BiCS FLASH, собственной запатентованной трехмерной флэш-памяти, с 4-разрядной ячейкой (четырехъядерная ячейка, QLC), которая повышает производительность одночиповой памяти до самого высокого уровня.

Toshiba Memory начнет поставлять образцы производителям твердотельных накопителей и SSD-контроллеров для оценки с начала сентября и рассчитывает начать массовое производство в 2019 году.

В чем преимущество

Преимущество технологии QLC заключается в том, что количество бит для хранения информации на ячейку памяти увеличивается с трех до четырех и значительно расширяется. Новый продукт достигает максимальной емкости в 1,33 Тб для одного чипа, который был разработан совместно с Western Digital Corporation.

Это также реализует беспрецедентную емкость 2,66 ТБ архитектуры с четырьмя микросхемами в одном пакете. Огромные объемы информации, генерируемые мобильными терминалами и другими устройствами, продолжают увеличиваться с ростом SNS и прогресса в IoT. Ожидается, что в ближайшие годы потребность в анализе и использовании этих данных в реальном времени резко возрастет. Это потребует более быстрого носителя, чем жесткий диск. Большая емкость носителей с технологией QLC, использующих 96-слойный процесс, будет способствовать решению проблемы.

Упакованный прототип нового устройства представят на Саммите флэш-памяти-2018 в Калифорнии с 6 по 9 августа.

Недурная закономерность

Toshiba Memory собираются продолжать увеличивать объем и производительность памяти, разрабатывая 3D-флеш-память, отвечающую различным потребностям рынка, в том числе быстрорастущий рынок хранения данных для ЦОД.

96-слойная BiCS FLASH, разработка которой была анонсирована 28 июня 2017 года, обеспечивает примерно в 1,4 раза большую емкость хранилища на единицу площади по сравнению с 64-слойным BiCS FLASH.

Пространства между ячейками памяти в BiSS FLASH намного шире, чем в 2D флэш-памяти NAND. Это позволило улучшить скорость программирования за счет увеличения объема данных.

Похоже, что наращивание количества слоев 3D накопителей стало главной тенденцией развития современных устройств из серии трехмерных массивов.

Напомним, недавно стало известно, что «Ростех» запускает производство микросхем, не имеющих зарубежных аналогов.
 



Источник: https://infostart.ru/journal/news/tekhnologii/toshiba-memory-razrabatyvaet-96-sloynuyu-sistemu-bics-flash-dlya-ssd-kontrollerov_874039/
Автор:
Сергей Кравченко Обозреватель


Какой производитель NAND-памяти на ваш взгляд лучше?


Micron/Intel (25%, 1 голосов)
25%
SK Hynix (0%, 0 голосов)
0%
Toshiba (25%, 1 голосов)
25%
Samsung (25%, 1 голосов)
25%
Затрудняюсь ответить (25%, 1 голосов)
25%

Сортировка: Древо
В этой теме еще нет сообщений.
Оставьте свое сообщение

См. также